MOSFET高負(fù)載系數(shù)最大電阻耗散
文章來源：萬利隆電子 閱讀次數(shù)：發(fā)布時(shí)間：2019-07-09
MOSFET與電子電路中的許多器件都有著密切的關(guān)于，尤其是在電路中的精密電阻器、電容、三極管和二極管之類的電子元器件，在許多情況下電路中使用精密電阻進(jìn)行電流檢測或者電壓采樣，同時(shí)精密電阻器在電子電路中對電壓和電流進(jìn)行分壓分流。MOSFET使用時(shí)候通常結(jié)合電路中進(jìn)行精密電阻器使用，因?yàn)镸OSFET高負(fù)載系數(shù)時(shí)候，存在最大電阻耗散。
在很多情況MOSFET的正常工作，在電路中與精密電阻器、電容、三極管和二極管電子元器件一同構(gòu)成一個(gè)完整的電路關(guān)系，但是MOSFET最壞情況下功率耗散將出現(xiàn)在最小或最大輸入電壓處。MOSFET耗散為兩個(gè)函數(shù)的和：在VIN（MIN），在較高的負(fù)載系數(shù)處達(dá)到最大的電阻耗散，和在VIN（MAX）處達(dá)到最大的開關(guān)耗散。最理想的選擇略等于在VIN極值的耗散，它平衡了VIN范圍內(nèi)的電阻耗散和開關(guān)耗散。
此外晶體管中的開關(guān)損耗，開關(guān)晶體管的導(dǎo)通電阻，開關(guān)電源電感器和電容器中的等效串聯(lián)電阻，以及電感器中的磁芯損耗，以及整流器電壓降有于典型的效率為60-70％。然而，通過優(yōu)化SMPS設(shè)計(jì)，可以比較大的限度地減少功率損耗和熱量; 一個(gè)好的設(shè)計(jì)可以有的效率。
不受管制可能只是一個(gè)二極管和電容器; 調(diào)節(jié)有一個(gè)電壓調(diào)節(jié)電路和一個(gè)噪聲濾波電容器; 通常比開關(guān)模式電路比較簡單的電路。由控制器IC，一個(gè)或多個(gè)功率晶體管和二管以及電源變壓器，電感器和濾波電容器組成。在線性穩(wěn)壓器電路中沒有出現(xiàn)一些設(shè)計(jì)復(fù)雜性。
精密電阻器在很多電路設(shè)計(jì)中都進(jìn)行使用，在電路設(shè)計(jì)中與MOSFET、電容、三極管和二極管等電子元器件產(chǎn)品相互結(jié)合使用，在電路中進(jìn)行電阻串聯(lián)、并聯(lián)使用，實(shí)現(xiàn)精密電阻對電路中的電壓的分壓和對電流進(jìn)行采樣作用。在許多逆變器產(chǎn)品中，MOSFET與精密電阻器構(gòu)成的電路為整個(gè)逆變器系統(tǒng)提供穩(wěn)定電路基礎(chǔ)。
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