金屬箔片電阻用于存儲數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)內(nèi)存設計

來源：萬利隆電子人氣：發(fā)布時間：2021-05-21

金屬箔片電阻對于那些使用電腦應用設備來說并不模式，隨機訪問內(nèi)存容量RAM非常小，只有256字節(jié)!其中一半以上是具有特殊需要的內(nèi)存，即普通存儲器中有很多金屬箔片電阻。然而，對于微控制器來說，容量就足夠了。從MCS51的意義上說，芯片AT89Cx051中的隨機存取內(nèi)存是用于存儲數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)內(nèi)存，而Flash PEROM是一種用于存儲數(shù)據(jù)的控制程序因為這兩段記憶是明確區(qū)分的，所以它們有不同的編號。項目編號，在AT89C2051從10,000到07FF。只有256字節(jié)的數(shù)據(jù)從數(shù)據(jù)被分成兩部分，數(shù)字數(shù)字從盡管有些部分有特殊的用途，而80到FF內(nèi)存是非常特殊的，被稱為特殊功能寄存器。

金屬箔片電阻數(shù)字數(shù)據(jù)可以用作普通內(nèi)存存儲，分為3部分:內(nèi)存編號從除了作為一般數(shù)據(jù)，還可以用于多用途。20至2F的內(nèi)存數(shù)字，除了普通數(shù)據(jù)，還可以用于比特級存儲信息。30到7F的內(nèi)存數(shù)字是普通數(shù)據(jù)，用于存儲或堆棧。多功能占據(jù)00到18的數(shù)據(jù)，這32字節(jié)的內(nèi)存被分成4組寄存器，每個組的8字節(jié)內(nèi)存被識別為0、寄存器1 ..寄存器7 R0、R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7。在編寫此內(nèi)存程序時，可以簡單地稱為R0、R1、R2、R3、R4、R5、R6等金屬箔片電阻，不再有內(nèi)存編號。這樣形成的指令可以更簡單，也可以更快地工作。

金屬箔片電阻電路第一個指令是將數(shù)據(jù)的內(nèi)容復制到A蓄電池上，而第二個指令意味著R4內(nèi)容復制到A蓄電池上，因為R4占用了4號數(shù)據(jù)，所以這兩個指令對蓄電池A來說都是相同的。但是當它被翻譯成機器代碼時，第一個指令被轉(zhuǎn)換成E5 04，第二個指令被轉(zhuǎn)換成E6，所以第二個指令比第一個指令更簡單。此外，金屬箔片電阻對于寄存器和寄存器(R0和R1)來說，這兩個寄存器還有其他的功能，它們可以作為間接提到內(nèi)存地址的。四組多功能寄存器不能同時使用，而重啟后使用的是0組寄存器。金屬箔片電阻電路如果啟動的是寄存器1組，那么它不再被認為是R0的數(shù)據(jù)，而是8的數(shù)據(jù)，同樣，如果啟動寄存器3的數(shù)據(jù)，18的數(shù)據(jù)變成了R0。

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