貼片電阻如何選擇，以及貼片電阻對(duì)電路重要性

來(lái)源：萬(wàn)利隆電子人氣：發(fā)布時(shí)間：2021-04-13

貼片電阻選擇對(duì)于很多電路都非常重要，貼片電阻型號(hào)眾多，而且每種貼片電阻的使用功能上都有很多差異，每一種電路設(shè)計(jì)考慮與分析各種電子元器件的使用，目前很多電路在這個(gè)階段都會(huì)很多電子元器件進(jìn)行選型。在電路提出的比較器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要點(diǎn)。由于體積驅(qū)動(dòng)的輸入級(jí)已經(jīng)將電源電壓設(shè)置為VDD = 0.4 V，所以需要確定工作溫度，也就是溫度角。通常的選擇是在工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)- 20°C和85°C內(nèi)，這也是的情況。

貼片電阻選擇另一個(gè)重要方面是CMOS制造工藝節(jié)點(diǎn)的選擇。目前的模擬/混合信號(hào)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)截止2020年預(yù)置了平面深亞微米技術(shù)例如，500、350、130或90納米的選擇，因?yàn)樗鼈冊(cè)诔杀竞凸に嚨囊话阈阅芎涂捎秒娮釉g進(jìn)行了公平的權(quán)衡。在更精細(xì)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，模擬/混合信號(hào)設(shè)計(jì)通常面臨復(fù)雜的問(wèn)題，貼片電阻選擇需要先進(jìn)的解決方案和工作區(qū)，這超過(guò)了較小硅電路面積或更高操作速度的優(yōu)點(diǎn)。晶體管的最終尺寸見(jiàn)圖12和圖13。從設(shè)計(jì)者的角度來(lái)看，模擬部分必須是對(duì)稱的，這就減少了設(shè)計(jì)過(guò)程中所需要的整體努力?？梢杂^察到，非常大的MOS晶體管尺寸。這樣做是為了減輕與納米CMOS工藝相關(guān)的工藝波動(dòng)。

此外，貼片電阻選擇由于倒置系數(shù)越高，電流失配越小，工藝靈敏度越高，相應(yīng)器件內(nèi)部的倒置程度也越高。所提議的拓?fù)涞男⌒盘?hào)模型如圖14所示。由于模擬核的整體對(duì)稱性，只分析電路的一半將大大受益。為了分析，貼片電阻選擇了左邊。此外，為了進(jìn)行小信號(hào)分析，如果需要，來(lái)自拓?fù)鋬啥说脑O(shè)備可以相互交換。晶體管級(jí)原理圖圖12中標(biāo)記為“A”和“B”的節(jié)點(diǎn)也在小信號(hào)模型中描述。貼片電阻選擇另一種分析簡(jiǎn)化是，整體電壓放大可以表示為各階段的部分電壓放大的乘積或部分電壓增益的總和。為了進(jìn)一步簡(jiǎn)化，還省略了使能的上拉和下拉裝置，這些裝置對(duì)總體精度影響不大，因此可以忽略不計(jì)。

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